El transistor IRFP250N de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales.
El IRFP250N en estado de conducción extremadamente baja por área de silicio, valor dinámico dv/dt, facilidad de paralelismo, resistente, conmutación rápida, requisitos sencillos de conducción y calificación total para avalancha. Como resultado, estos MOSFET de potencia son conocidos por su eficiencia y confiabilidad extremas que los hacen aptos para su uso en una gran variedad de aplicaciones.
- Con diodo zener
- Tecnología de proceso avanzada
- Calificación dinámica dv / dt
- Cambio rápido
- Avalancha completa
- Facilidad de paralelismo
- Requisitos de manejo simples
- Aplicaciones: Administración de potencia, industrial, dispositivos portátiles, electrónica de consumo
Información Básica
- Polaridad de transistor: Canal N
- Voltaje de drenaje a fuente VDS: 200 V
- Voltaje de puerta a fuente VGS: ±30 V
- Voltaje de drenaje a puerta VDGR: 50 V
- Corriente continua de drenaje ID (Tc=25°C): 30 A
- Corriente de drenaje pulsada IDP: 120 A
- Tensión Vgs de medición Rds(on): 10 V
- Tensión umbral Vgs: 4 V
- Resistencia de activación Rds(on): 0.075 Ω
- Disipación de potencia máxima PD (Tc=25 °C): 214 W
- Temperatura de operación mínima: -55 °C
- Temperatura de operación máxima: 175 °C
- Encapsulado: TO-247
- Número de pines: 3
Sustituto
NTE2376 IRFP254
