El P19NK50ZFP pertenece a la familia SuperMESH™ de STMicroelectronics, diseñada para aplicaciones de conmutación de alta tensión donde se requiere alta eficiencia, baja disipación de potencia y gran confiabilidad.
Gracias a su estructura optimizada, ofrece una baja resistencia RDS(on), alta velocidad de conmutación y excelente inmunidad al dv/dt, permitiendo trabajar en convertidores de potencia de alto rendimiento.
La versión FP (Full Pack) incorpora un encapsulado TO-220FP eléctricamente aislado, lo que facilita el montaje sobre disipadores sin utilizar mica aislante, reduciendo el tiempo de ensamblaje y aumentando la seguridad eléctrica.
Características principales
- MOSFET de potencia N-Channel.
- Tecnología SuperMESH™.
- Encapsulado TO-220FP totalmente aislado.
- Protección Zener integrada.
- Alta velocidad de conmutación.
- Baja carga de compuerta.
- Excelente inmunidad al dv/dt.
- 100 % probado en avalancha.
- Baja resistencia RDS(on).
- Ideal para fuentes switching.
Especificaciones técnicas
| Parámetro | Valor |
|---|---|
| Modelo | P19NK50ZFP |
| Fabricante | STMicroelectronics |
| Tipo | MOSFET N-Channel |
| Tecnología | SuperMESH™ |
| Voltaje Drain-Source (VDS) | 500 V |
| Corriente continua (ID) | 19 A |
| Voltaje Gate-Source (VGS) | ±30 V |
| RDS(on) típico | 0.22 Ω |
| RDS(on) máximo | 0.27 Ω |
| Potencia disipada | 30 W (TO-220FP) |
| Protección Gate Zener | Sí |
| Encapsulado | TO-220FP (Full Pack) |
| Montaje | Through Hole (THT) |
Distribución de pines
| Pin | Función |
|---|---|
| 1 | Gate (G) |
| 2 | Drain (D) |
| 3 | Source (S) |
| Aleta posterior | Aislada eléctricamente |
Información para el desarrollador
Tecnología SuperMESH™
La tecnología SuperMESH™ permite:
- Reducir la resistencia RDS(on).
- Disminuir las pérdidas por conducción.
- Reducir la carga de compuerta.
- Mejorar la eficiencia de conversión.
- Incrementar la velocidad de conmutación.
Encapsulado TO-220FP
A diferencia del TO-220 convencional:
- La placa metálica está completamente aislada.
- Puede fijarse directamente al disipador.
- No requiere mica aislante en la mayoría de aplicaciones.
- Reduce el tiempo de montaje.
- Incrementa la seguridad eléctrica.
Aplicaciones típicas
- Fuentes switching (SMPS).
- Fuentes ATX.
- UPS.
- Inversores.
- Convertidores Flyback.
- Convertidores Forward.
- Half Bridge.
- Full Bridge.
- Corrección del factor de potencia (PFC).
- Soldadoras inverter.
- Balastos electrónicos.
- Equipos industriales.
Recomendaciones de diseño
- Utilizar un driver de compuerta adecuado.
- Incorporar un resistor Gate-Source para evitar disparos espurios.
- Utilizar red Snubber en cargas inductivas.
- Minimizar la inductancia de las pistas de potencia.
- Utilizar un disipador adecuado cuando la potencia disipada sea elevada.
Aplicaciones
- Fuentes de alimentación conmutadas.
- Televisores CRT.
- Monitores CRT.
- UPS.
- Inversores.
- Soldadoras inverter.
- Balastos electrónicos.
- Controladores PWM.
- Electrónica de potencia.
- Automatización industrial.
Compatibilidad
Puede encontrarse con marcados similares como:
- P19NK50Z
- STP19NK50Z
- STP19NK50ZFP
La versión FP mantiene las mismas características eléctricas principales que la versión TO-220 estándar, diferenciándose únicamente por su encapsulado TO-220FP aislado. Antes de sustituir el componente, verifique el encapsulado y los requisitos de disipación térmica.
Contenido del paquete
- 1 × MOSFET P19NK50ZFP
Ventajas
- Alta eficiencia.
- Encapsulado eléctricamente aislado.
- Baja resistencia RDS(on).
- Excelente velocidad de conmutación.
- Protección Zener integrada.
- Alta confiabilidad.
- Ideal para reparación de fuentes switching y equipos electrónicos de potencia.
