INFORMACIÓN
Transistor BJT con encapsulado TO-126 de 80Volts a 1.5Ampers. Este transistor BJT está diseñado para utilizarse en amplificadores y controladores de audio o como circuito complementario.
ESPECIFICACIONES Y CARACTERÍSTICAS
BD139 Transistor BJT NPN T0-127 80V 1.5A
- Tipo de Transistor: NPN
- Serie: BD139
- Encapsulado: TO-126
- Estilo de montaje: Through Hole
- Pines: 3
- Altura: 10.8 mm
- Longitud: 7.8 mm
- Ancho: 2.1 mm
- Peso de la unidad: 60 mg
- Voltaje VEBO emisor-base: 5V
- Voltaje Máx. VCEO colector-emisor: 80V
- Tensión Colector-Base VCBO: 80V
- Voltaje de saturación colector-emisor: 0.5 V
- Corriente CC máxima de colector: 1.5 A
- Producto para ganar Ancho de banda fT: 320 MHz
- Dp – Disipación de potencia: 12.5 W
- Máx. ganancia de CC hFE: 250
- Temperatura de Funcionamiento Máxima: +150 ºC
- Temperatura Mínima de Funcionamiento: -65 °C
